Создан новый полупроводник с нулевым тепловым расширением
Американские ученые создали новый полупроводник с нулевым коэффициентом теплового расширения для одного из измерений, сообщает Аргоннская национальная лаборатория США в своем пресс-релизе.
Нагревание полупроводников представляет серьезную проблему для микропроцессоров: материал расширяется, что может вызвать появление трещин, которые, в свою очередь, приводят к прерыванию тока, отделению полупроводника от подложки, разрушению микросхемы.
Материалы с нулевым коэффициентом теплового расширения - не расширяющиеся при нагревании - уже используются в оптике, тепловых двигателях, кухонном оборудовании, однако таких, которые имели бы широкое применение в электронике, пока не создано, отмечают специалисты из Аргоннской лаборатории.
Разработчики создали устойчивый кристалл, состоящий из органических и неорганических веществ. Материал состоит из чередующихся слоев теллурида цинка (ZnTe) и этилендиамина (C2N2H8). Когда один слой расширяется, другой сокращается, за счет чего и достигается общее нулевое расширение (именно нулевое, а не отрицательное - материал и не сокращается, что тоже могло бы быть вредно).
Пока нулевого коэффициента удалось добиться только для одного измерения (по двум другим размер кристалла изменяется), но исследователи считают, что тот же принцип - кристалл из чередующихся слоев, специальным образом упорядоченных на наноуровне - потенциально можно применить также и к большему числу измерений.