Описан способ достичь недельной автономности смартфона
Фото: Pixabay
Специалисты IBM и Samsung описали перспективу достичь недельной автономности смартфона. Об этом сообщает издание The Verge.
Согласно концепции инженеров двух компаний, новый способ заключается в вертикальном расположении транзисторов в чипах вместо привычного горизонтального. Ученые полагают, что технология Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) придет на смену существующей FinFET. В данном случае электроэнергия подается вертикально, что заметно оптимизирует ее распределение по компонентам чипов.
По оценке специалистов, новый способ позволяет заметно сократить потребление электроэнергии. Согласно одному из амбициозных планов, в перспективе возможно двукратное улучшение производительности или сокращение потребления энергии на 85 процентов по сравнению с технологией FinFET. Также благодаря VTFET можно обойти ограничения, налагаемые законом Мура — это наблюдение, согласно которому количество транзисторов удваивается каждые 24 месяца.
Специалисты IBM и Samsung отметили, что новая технология позволит не только увеличить автономность аккумуляторов смартфонов, но и создать менее энергоемкий способ майнинга криптовалюты и шифрования данных.
В середине ноября IBM представила новый чип Eagle для квантовых вычислений. Также инженеры компании анонсировали превосходство квантовых чипов над обычными в недалеком будущем.