Транзисторы побили рекорд миниатюрности

Инженеры Массачусетского технологического института создали рекордно миниатюрный МОП-транзистор на основе арсенида галлия-индия, размер которого составил 22 нанометра. Доклад о своей работе ученые представили на конференции в Сан-Франциско, кратко о ней пишет сайт института.

Рекорд миниатюризации удалось установить благодаря применению материала, который до этого не использовался при изготовлении подобных транзисторов. Арсенид галлия-индия широко известен в электронике, но применяется в основном для изготовления лазеров, СВЧ-генераторов, фотодатчиков и светодиодов.

В то же время, методы обработки, которые авторы применили для изготовления миниатюрного транзистора - эпитаксия и травление электронным лучом, были заимствованы из существующего арсенала кремниевой индустрии. Исток и сток изготавливались из молибдена, а выравнивание их контакта с затвором осуществлялось с помощью множественного распыления и травления.

Новый транзистор принадлежит к функциональному типу, наиболее распространенному при изготовлении микропроцессоров. Авторы разработки надеются, что в будущем им удастся изготовить на основе арсенида галлия-индия полноценный микрочип с рекордной плотностью транзисторов.

Ранее другая группа инженеров (также из MIT) применила для создания набора электронных устройств другой необычный материал - двумерный сульфид молибдена, который иногда называют самым известным конкурентом графена.