Корейцы создадут флеш-накопитель емкостью 100 гигабайт

Корейские разработчики сообщили об успешном внедрении новой технологии производства транзисторов. Размер нового полупроводника составляет 10 нанометров, что в шесть раз меньше транзистора, используемого в современных микропроцессорах и составляет 1\12000 толщины человеческого волоса. Успех корейских ученых обусловлен использованием углеродных нанотрубок.

Коммерческая реализация технологии запланирована на конец этого года. Устройства хранения информации, созданные с использованием углеродных нанотрубок, характеризуются высокой производительностью и низким энергопотреблением по сравнению с обычными накопителями.
Также в десятинанометровых полупроводниках используется материал, который разработчики назвали "Mott insulator". Он обеспечивает мгновенное переключение транзистора из состояния проводника в состояние изолятора.

Пока непонятно, какой емкости может достигать флеш-накопитель на углеродных нанотрубках, но разработчики полны оптимизма и заявляют, что потенциал этой технологии позволит создать устройство емкостью больше ста гигабайт. Максимальная емкость современных флеш-накопителей достигает восьми гигабайт.