8 июня корпорация IBM объявила об очередном прорыве в области полупроводниковых технологий, который позволит на 35 процентов ускорить производительность интегральных схем и снизит их энергопотребление.
Детали новой технологии, получившей название Strained Silicon, станут известны 13 июня - после презентации на ежегодном симпозиуме по сверхбольшим интегральным схемам, который состоится в Киото. Пока известно, что она использует повышенную скорость электронов в модифицированном кремнии, находящемся в напряженно-растянутом состоянии. За счет этого свойства материала можно увеличить скорость работы транзисторов, не прибегая к их дальнейшей миниатюризации.
Применить новое достижение на практике IBM планирует уже в 2003 году. По мнению руководителей корпорации, в сочетании с серией других изобретений в области конструирования СБИС, новая технология даст ей возможность обойти конкурентов "на пару лет".