IBM, Toshiba и AMD показали 22-нанометровую память

Компании IBM, Toshiba и AMD на выставке International Electron Devices Meeting в Сан-Франциско представили первую в мире ячейку памяти SRAM, созданную с соблюдением 22-нанометровой технологии, сообщает EE Times. Впервые она была анонсирована в конце августа текущего года.

Площадь 22-нанометровой ячейки памяти SRAM составляет 0,128 квадратного микрометра. Ранее площадь самой маленькой ячейки памяти SRAM составляла 0,274 квадратного микрометра. Площадь ячейки SRAM процессоров Intel, выполненных по 45-нанометровому техпроцессу, составляет 0,346 квадратного микрометра.

В основе 22-нанометровой ячейки памяти SRAM лежат транзисторы типа FinFET, созданные по технологии high-k/metal gate. Последняя подразумевает замену диоксида кремния в электроде затвора транзистора на сплав гафния, что позволяет уменьшить размер транзистора.

О том, когда начнется выпуск 22-нанометровой памяти, не сообщается. Вместо этого разработчики подчеркнули, что технология, использованная при производстве 22-нанометровой ячейки памяти, позволит в перспективе уменьшить ее площадь до 0,063 квадратного микрометра.

Модуль памяти SRAM являются частью процессора. Он служит для временного хранения данных, обрабатываемых чипом.