Intel выпускает память на 65-нанометровых транзисторах

В понедельник корпорация Intel объявила о создании микросхемы памяти стандарта SRAM (static random access memory) емкостью 70 мегабит на основе транзисторов, размер которых составляет 65 нанометров, сообщает агентство Associated Press. К серийному производству новых чипов корпорация приступит в первой половине 2005 года.

Уменьшение размера транзисторов позволило уменьшить площадь кристалла новой микросхемы. Теперь в процессоры можно будет интегрировать больше кэш-памяти, что обеспечит повышение производительности. Улучшена технология "напряженного кремния", впервые реализованная корпорацией в наиболее массовой сегодня 90-нанометровой производственной линии. В результате производительность транзисторов увеличилась на 10 - 15 процентов без повышения тепловыделения. Этому также способствует уменьшение затворов транзисторов до 35 нанометров.

В новые микросхемы SRAM корпорация Intel включила так называемые транзисторы сна (sleep transistors), отключающие неиспользуемые цепи от шины питания, что значительно снижает энергопотребление микросхемы. Кроме того, используются восемь промежуточных слоев из меди и диэлектрический материал с низким коэффициентом проводимости (low-k диэлектрик), увеличивающие скорость передачи сигнала в микросхеме и также сокращающие энергопотребление.

Как отмечается в пресс-релизе корпорации, достижения Intel по уменьшению размеров транзисторов подтверждают предсказание основателя компании Гордона Мура (Gordon Moore), сделанное в конце 1960-х годов. Согласно "закону Мура", количество транзисторов на чипе примерно удваивается каждые два года.